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晶圓表面與焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè),半導(dǎo)體制造中的精密雙檢技術(shù)
2025-06-27

在半導(dǎo)體制造中,晶圓表面缺陷與焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè)是保障芯片良率與可靠性的核心環(huán)節(jié)。前者聚焦于納米級(jí)表面完整性,后者則關(guān)乎封裝結(jié)構(gòu)的電學(xué)與機(jī)械穩(wěn)定性。兩者通過(guò)光學(xué)、聲學(xué)及人工智能技術(shù)的深度融合,構(gòu)建起從晶圓制造到封裝測(cè)試的全流程質(zhì)量防線。一、晶圓表...

  • 2020-12-01

    隨著光學(xué)在各個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中的應(yīng)用,使得它也能為測(cè)厚行業(yè)里帶來(lái)貢獻(xiàn)。其中就有大眾所知的光學(xué)膜厚儀。它利用光學(xué)的特點(diǎn),能夠直接檢測(cè)出物件涂層、或者是其它物件的厚度。該儀器所使用的原理,便是光的折射與反射。這種儀器在使用時(shí),擺放在物件的上方,從儀器當(dāng)中發(fā)射了垂直向下的可視光線。其中一部分光會(huì)在膜的表面形成一個(gè)反射,另一部分則會(huì)透過(guò)儀器的薄膜,在薄膜與物件之間的界面開(kāi)成反射,這個(gè)時(shí)候,薄膜的表面,以及薄膜的底部同時(shí)反射的光會(huì)造成干涉的現(xiàn)象。儀器便是利用了這樣的一種現(xiàn)象,從而測(cè)量出物件的厚...

  • 2020-11-25

    作為光刻工藝中zuì重要設(shè)備之一,接觸式光刻機(jī)一次次革命性的突破,使大模集成電路制造技術(shù)飛速向前發(fā)展。了解提高接觸式光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)以及了解下一代光刻技術(shù)的發(fā)展情況是十分重要的。光刻意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形(工藝);在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過(guò)程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上的過(guò)程。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。接觸式光刻機(jī)是集成電路芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備。光刻機(jī)是微電子...

  • 2020-11-23

    光學(xué)膜厚儀是利用薄膜干涉光學(xué)原理,對(duì)薄膜進(jìn)行厚度測(cè)量及分析。用從深紫外到近紅外可選配的寬光譜光源照射薄膜表面,探頭同位接收反射光線。光學(xué)膜厚儀根據(jù)反射回來(lái)的干涉光,用反復(fù)校準(zhǔn)的算法快速反演計(jì)算出薄膜的厚度。測(cè)量范圍1nm-3mm,可同時(shí)完成多層膜厚的測(cè)試。對(duì)于100nm以上的薄膜,還可以測(cè)量n和k值。應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體制造業(yè),光刻膠、氧化物、硅或其他半導(dǎo)體膜層的厚度測(cè)量;生物醫(yī)學(xué)原件:聚合物/聚對(duì)二甲苯;生物膜/球囊壁厚度;植入藥物涂層;微電子:光刻膠;硅膜;氮化鋁/氧化鋅薄膜...

  • 2020-11-17

    掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)是指通過(guò)開(kāi)啟燈光發(fā)出UVA波長(zhǎng)的紫外線,將膠片或其他透明體上的圖像信息轉(zhuǎn)移到涂有感光物質(zhì)的表面上的機(jī)器設(shè)備。該儀器可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、生物器件和納米科技領(lǐng)。技術(shù)數(shù)據(jù):掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)以其多功能性和可靠性而著稱,在小的占位面積上結(jié)合了先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能和優(yōu)化的總體擁有成本,提供了先進(jìn)的掩模對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。它是光學(xué)雙面光刻的理想工具,可提供半自動(dòng)或自動(dòng)配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案,以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標(biāo)準(zhǔn)。擁有操作員友好型軟件,短的掩模和工具更換時(shí)間以及高...

  • 2020-11-13

    大家也許還不是非常的清楚,刻錄機(jī)的種類有非常的多,其中的技術(shù)原理也不盡相同,下面就由我來(lái)給大家簡(jiǎn)單介紹一下有關(guān)接觸式光刻機(jī)的使用原理及性能指標(biāo)。接觸式光刻機(jī)的使用原理:其實(shí)在我國(guó)對(duì)于接觸式光刻機(jī),曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上,其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1gm的特征尺寸,常用的光源分辨率為0.5gm左右。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠,并被安...

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